碳化硅陶瓷廠家?guī)硖蓟杼沾傻?種燒結(jié)
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更新時間:2023-02-27 14:16:02
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碳化硅陶瓷的燒結(jié)方法各有不同,也造就了其性能各有不同,碳化硅陶瓷廠家就簡單的介紹幾種碳化硅陶瓷的燒結(jié)方法。
1.熱壓燒結(jié)
50年代中期,美國Norton公司就開始研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金屬添加物對SiC熱壓燒結(jié)的影響。實驗表明:Al和Fe是促進SiC熱壓致密化的有效的添加劑。
有研究者以Al2O3為添加劑,通過熱壓燒結(jié)工藝,也實現(xiàn)了SiC的致密化,并認為其機理是液相燒結(jié)。此外,還有研究者分別以B4C、B或B與C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C與C作添加劑,采用熱壓燒結(jié),也都獲得了致密SiC陶瓷。
研究表明:燒結(jié)體的顯微結(jié)構(gòu)以及力學、熱學等性能會因添加劑的種類不同而異。如:當采用B或B的化合物為添加劑,熱壓SiC的晶粒尺寸較小,但強度高。當選用Be作添加劑,熱壓SiC陶瓷具有較高的導熱系數(shù)。
2.反應燒結(jié)
SiC的反應燒結(jié)法早在美國研究成功。反應燒結(jié)的工藝過程為:先將α-SiC粉和石墨粉按比例混勻,經(jīng)干壓、擠壓或注漿等方法制成多孔坯體。在高溫下與液態(tài)Si接觸,坯體中的C與滲入的Si反應,生成β-SiC,并與α-SiC相結(jié)合,過量的Si填充于氣孔,從而得到無孔致密的反應燒結(jié)體。反應燒結(jié)SiC通常含有8%的游離Si。因此,為保證滲Si的完全,素坯應具有足夠的孔隙度。一般通過調(diào)整初混合料中α-SiC和C的含量,α-SiC的粒度級配,C的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當?shù)乃嘏髅芏取?br />
實驗表明,采用無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)和反應燒結(jié)的SiC陶瓷具有各異的性能特點。如就燒結(jié)密度和抗彎強度來說,熱壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷相對較多,反應燒結(jié)SiC相對較低。另一方面,SiC陶瓷的力學性能還隨燒結(jié)添加劑的不同而不同。無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)和反應燒結(jié)SiC陶瓷對強酸、強堿具有良好的抵抗力,但反應燒結(jié)SiC陶瓷對HF等強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看,當溫度低于900℃時,幾乎所有SiC陶瓷強度均有所提高;當溫度超過1400℃時,反應燒結(jié)SiC陶瓷抗彎強度急劇下降。(這是由于燒結(jié)體中含有一定量的游離Si,當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致)對于無壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)的SiC陶瓷,其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。
3.無壓燒結(jié)
1974年美國GE公司通過在高純度β-SiC細粉中同時加入少量的B和C,采用無壓燒結(jié)工藝,于2020℃成功地獲得高密度SiC陶瓷。目前,該工藝已成為制備SiC陶瓷的主要方法。美國GE公司研究者認為:晶界能與表面能之比小于1.732是致密化的熱力學條件,當同時添加B和C后,B固溶到SiC中,使晶界能降低,C把SiC粒子表面的SiO2還原除去,提高表面能,因此B和C的添加為SiC的致密化創(chuàng)造了熱力學方面的有利條件。然而,日本研究人員卻認為SiC的致密并不存在熱力學方面的限制。還有學者認為,SiC的致密化機理可能是液相燒結(jié),他們發(fā)現(xiàn):在同時添加B和C的β-SiC燒結(jié)體中,有富B的液相存在于晶界處。關(guān)于無壓燒結(jié)機理,目前尚無定論。
以α-SiC為原料,同時添加B和C,也同樣可實現(xiàn)SiC的致密燒結(jié)。
研究表明:單獨使用B和C作添加劑,無助于SiC陶瓷充分致密。只有同時添加B和C時,才能實現(xiàn)SiC陶瓷的高密度化。為了SiC的致密燒結(jié),SiC粉料的比表面積應在10m2/g以上,且氧含量盡可能低。B的添加量在0.5%左右,C的添加量取決于SiC原料中氧含量高低,通常C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。
有研究者在亞微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3,在1850℃~2000℃溫度下實現(xiàn)SiC的致密燒結(jié)。由于燒結(jié)溫度低而具有明顯細化的微觀結(jié)構(gòu),因而,其強度和韌性大大改善。
4.熱等靜壓燒結(jié)
近年來,為進一步提高SiC陶瓷的力學性能,研究人員進行了SiC陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以B和C為添加劑,采用熱等靜壓燒結(jié)工藝,在1900℃便獲得高密度SiC燒結(jié)體。更進一步,通過該工藝,在2000℃和138MPa壓力下,成功實現(xiàn)無添加劑SiC陶瓷的致密燒結(jié)。
研究表明:當SiC粉末的粒徑小于0.6μm時,即使不引入任何添加劑,通過熱等靜壓燒結(jié),在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24m2/g的SiC超細粉,采用熱等靜壓燒結(jié)工藝,在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。
另外,Al2O3是熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷的有效添加劑。而C的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結(jié)致密化不起作用,過量的C甚至會抑 制SiC陶瓷的燒結(jié)。